【国际论文】α-Ga₂O₃ 中位错的发光特性

        近期，由英国思克莱德大学的研究团队在学术期刊 Journal of Physics D: Applied Physics 发布了一篇名为 Luminescence properties of dislocations in α-Ga₂O₃（α-Ga₂O₃ 中位错的发光特性）的文章。

摘要

        利用高光谱阴极发光光谱研究了外延侧向叠加 α-Ga₂O₃ 中的位错。位错与自陷空穴相关发光（约 3.6 eV 线）的减少有关，这可以归因于它们作为自由电子的非辐射复合位点，由于费米能级钉扎或电子在施主态上的捕获而导致自由电子密度的减少。在位错处观察到约 2.8 eV 和 3.2 eV 线的强度增加，表明施主-受主对跃迁的增加，并为点缺陷在位错处的偏析提供了强有力的证据。

DOI：

doi.org/10.1088/1361-6463/ad8894