【国内论文】浙江大学杨德仁院士领导的研究团队——2 英寸 Fe 掺杂高阻 β 相氧化镓单晶生长及(010)衬底性质研究

        近期，由浙江大学杨德仁院士领导的研究团队发布了一篇名为 2 英寸 Fe 掺杂高阻 β 相氧化镓单晶生长及 (010) 衬底性质研究的文章。该篇文章被人工晶体学报录用。

摘要

        本文使用直拉法制备了 Fe 掺杂的大尺寸的 β 相氧化镓（β-Ga₂O₃）单晶，加工制备了高质量的 2 英寸（010）衬底，并对衬底的结晶质量、加工质量与电学性质进行了研究。偏光应力仪下的均匀图像表明该衬底无孪晶、裂纹等宏观缺陷，宏观结晶质量良好。该衬底的（020）面 X 射线摇摆曲线半峰全宽（FWHM）的最大值为 29.7″，表明具有良好的微观结晶质量。该衬底的表面平均粗糙度（Ra）的最大值为 0.240 nm，局部厚度偏差（LTV）低于1.769 μm，总厚度偏差（TTV）为 5.092 μm，翘曲度（Warp）为 3.132 μm，表明具有良好的衬底加工质量。此外，该衬底约 7×10¹¹ Ω·cm 的高电阻率为微波射频器件的开发提供了基础支撑。