【器件论文】Czochralski 法生长 β-Ga₂O₃ 晶体上 p-NiO/n-Ga₂O₃ 异质结中的陷阱态

        由俄罗斯国家研究型技术大学的研究团队在学术期刊 ECS Journal of Solid State Science and Technology 发布了一篇名为Trap States in p-NiO/n-Ga₂O₃ heterojunctions on Czochralski β-Ga₂O₃ crystals（Czochralski 法生长 β-Ga₂O₃ 晶体上 p-NiO/n-Ga₂O₃ 异质结中的陷阱态）的文章。

摘要

        通过离子束溅射在从 Czochralski 法生长的 (010) 导向晶体中切割的块状名义上未掺杂的 (100) 导向 n-Ga₂O₃ 样品上沉积 p-NiO 薄膜，制备了 p-NiO/n-Ga₂O₃ 异质结 (HJ)。研究了电学性质和深陷阱谱，并与 Ni 肖特基二极管的类似样品进行了比较。NiO/Ga₂O₃ HJ 的特征在于内置电压超过 2 V，而 Ni 肖特基二极管为 1 V，由于在与 NiO/Ga₂O₃ 界面相邻的薄区域中存在超过 10¹⁸ cm^-3 的 Ec-0.16 eV 陷阱，电容存在强烈的频率色散。对于异质结二极管，反向电流的强增加发生在比肖特基二极管高得多的电压下（120 V 对 60 V）。

原文链接：

https://doi.org/10.1149/2162-8777/ad9ace