【其他论文】操纵 γ-Ga₂O₃ 纳米晶体中的氧空位：缺陷位置、电荷状态和光物理性质之间的相关性

        由安徽大学的研究团队在学术期刊 The Journal of Physical Chemistry Letters 发布了一篇名为 Manipulating Oxygen Vacancies in γ-Ga₂O₃ Nanocrystals: Correlation between Defect Location, Charge State, and Photophysical Properties（操纵 γ-Ga₂O₃ 纳米晶体中的氧空位：缺陷位置、电荷状态和光物理性质之间的相关性）的文章。

摘要

        胶体合成技术的最新进展使精确控制半导体纳米晶体 (NCs) 中的外部掺杂剂成为可能，丰富了我们对掺杂剂-激子相互作用的理解，并为控制 NCs 的性质开辟了新途径。然而，操纵胶体 NC 中的内在缺陷仍然具有挑战性。在这里，我们展示了 γ-Ga₂O₃ NCs 中氧空位浓度和位置的调节，显着改变了它们的光致发光性质。光谱分析和密度泛函理论计算表明，体氧空位大多是中性的，并导致形成深施主带，从而导致紫外发射。相反，受能带弯曲效应影响的表面近氧空位倾向于双电离，产生特征性的施主-受体对发射。这项工作强调了氧空位位置和电荷状态之间的相关性，导致不同的缺陷态和独特的光物理过程。精确的缺陷操纵为结构-性质关系和功能纳米材料的设计提供了新的见解。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.4c03000