【器件论文】用于日盲光电器件的无催化剂多晶 β-Ga₂O₃ 纳米材料：成像和神经通信中的应用

        由重庆师范大学的研究团队在学术期刊 Small Methods 发布了一篇名为 Catalyst-Free Polymorphic β-Ga₂O₃ Nanomaterials for Solar-Blind Optoelectronic Devices: Applications in Imaging and Neural Communication（用于日盲光电器件的无催化剂多晶 β-Ga₂O₃ 纳米材料：成像和神经通信中的应用）的文章。 

摘要

        紫外-C (UV-C) 光电技术的不断进步有望满足对高效创新光电器件日益增长的需求，特别是在图像传感和神经通信领域。本研究提出了一种低成本的管密封和马弗炉煅烧工艺，用于无催化剂合成多晶型 β-Ga₂O₃ 纳米材料。这些纳米材料通过气-固 (VS) 生长机制合成，能够形成高质量的纳米线 (NW)、纳米带 (NB) 和纳米片 (NS)。使用 β-Ga₂O₃ 纳米带制造的 UV-C 光电探测器 (PD) 表现出卓越的性能，在 254 nm 光照下，响应度为 4.62 × 10⁵ A W⁻¹，比探测度为 4.78 × 10¹² Jones。该 PD 能够实现高灵敏度和高对比度的 UV-C 成像，有效捕捉字母“CNU”和“Panda”。此外，基于 β-Ga₂O₃ 纳米线的光电突触 (OES) 器件显示出高效的光感应和显着的持续光电导性，准确地模拟了突触行为，如短期到长期记忆转变和记忆强化。OES 器件成功集成到无线光通信系统中，通过输出“CNU 1954”的电流波形信号，有效模拟神经信号传输，并表现出显着的 UV-C 光感应和学习能力。这项工作不仅介绍了一种合成多晶型 β-Ga₂O₃ 纳米材料的方法，而且强调了它们在先进 UV-C 光电应用（包括图像传感和神经通信）中的潜力。

原文链接：

https://doi.org/10.1002/smtd.202401473