【器件论文】室温下采用高介电常数 Ta₁.₀La₀.₄O₃.₈ 栅极制备的高性能 InGaZnO/Ga₂O₃ 异质结TFT

        由北京理工大学的研究团队在学术期刊 Applied Surface Science 发布了一篇名为 High-performance InGaZnO/Ga₂O₃ heterostructure TFTs Gated by high-k Ta_1.0La_0.4O_3.8 fabricated at room temperature（室温下采用高介电常数 Ta_1.0La_0.4O_3.8 栅极制备的高性能 InGaZnO/Ga₂O₃ 异质结 TFT）的文章。

摘要

        通过室温溅射法成功制造了具有高k钽-氧化镧（TaLaO）栅电介质的高性能铟镓锌氧化物（InGaZnO）/氧化铝（Ga₂O₃）异质结构薄膜晶体管（TFT）。通过原子力显微镜（AFM）和 X 射线光电子能谱（XPS）研究发现，在室温下通过沉积后等离子体处理可有效平滑高 k Ta_1.0La_0.4O_3.8，抑制氧空位的界面缺陷，从而改善界面质量。值得注意的是，异质结构 TFT 的电学特性通过 O₂- 等离子处理得到显著改善，产生了 82.1 mV/dec 的超低亚阈值摆幅 (SS)、4.1 × 10¹⁰ 的超高导通/关断比 (I_ON/I_OFF) 和 68.0 cm²/V·s 的高场效应迁移率 (µ_FE)。这项研究提出了一种创新方法，它对于采用高 K 栅极电介质的高性能异质结构 TFT 来说，是一种有效、超低热预算和高成本效益的方法。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.161997