【器件论文】具有复合终端结构的垂直式 β-Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管

        由西安电子科技大学的研究团队在学术期刊 ECS Journal of Solid State Science and Technology 发布了一篇名为 Vertical β-Ga₂O₃ Schottky Barrier Diode with the Composite Termination Structure（具有复合终端结构的垂直式 β-Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管）的文章。

摘要

        本文研究报告了具有 ZnNiO 薄合金膜复合终止结构的 β-Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管 (SBD)。具有宽带隙 p 型 ZnNiO 结终止扩展结构的 β-Ga₂O₃ SBD 实现了 2040 V 的击穿电压 (V_br) 和 3.48 mΩ·cm² 的比导通电阻 R_on,sp，贡献了 1.20 GW cm⁻² 的功率品质因数 (PFOM, V_br²/R_on,sp)。同时，我们展示了具有斜面结终止扩展 (BJTE) 结构的高性能垂直 β-Ga₂O₃ SBD，其 R_on,sp,V_br 和 BFOM 分别为 4.21 mΩ·cm²、2704 V 和 1.74 GW cm⁻²。技术计算机辅助设计模拟表明，BJTE 结构显着优化了 β-Ga₂O₃ 漂移层的表面电场。这些器件通过实施复合终止结构，为实现高性能 β-Ga₂O₃ 功率器件迈出了重要一步。

原文链接：

https://doi.org/10.1149/2162-8777/ad9a7b