【器件论文】p-NiOx 结终端扩展对 NiOx/β-Ga₂O₃ 异质结二极管中界面态的影响

        由西安电子科技大学的研究团队在学术期刊 Materials Science in Semiconductor Processing 发布了一篇名为 Effect of p-NiO_x junction termination extension on interface states in NiO_x/β-Ga₂O₃ heterojunction diodes（p-NiO_x 结终端扩展对 NiO_x/β-Ga₂O₃ 异质结二极管中界面态的影响）的文章。

摘要

        采用具有 p-NiO_x 结终端扩展 (JTE) 的 NiO_x/β-Ga₂O₃ 制备了垂直 p-n 异质结二极管 (HJD)。研究发现，NiO_x JTE 的导入能够降低器件中的界面态密度，基于 I-V 滞回分析中较小的电压滞回区间以及 C-V 特性中寄生电容的降低得以体现。这是由于 JTE 有助于限制界面态的激活。这项研究提供了对界面态的基本理解，并为 Ga₂O₃ HJD 设计开发奠定了理论基础。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108987