【国际论文】短脉冲离子辐照对氧化镓薄膜的光学和光电特性的影响

        由哈萨克斯坦国立欧亚大学的研究团队在学术期刊 Optical Materials: X 发布了一篇名为 Influence of short-pulsed Ion irradiation on optical and photoelectrical properties of thin gallium oxide films（短脉冲离子辐照对氧化镓薄膜的光学和光电特性的影响）的文章。

摘要

        本文研究了高通量 (5.5∙10¹⁹ cm⁻²s⁻¹) 短脉冲离子辐照对氧化镓薄膜的结构、光学和光电性能的影响。薄膜采用射频磁控溅射法制备。部分沉积的薄膜在空气环境中退火 (900 °C, 2 h) 以合成 β-Ga₂O₃ 相。获得的薄膜经受了短脉冲离子辐照（离子能量高达 200 keV，脉冲持续时间 90 ns，靶材上的电流密度高达 15 A/cm²）。已经确定了退火和辐照对吸收的光谱依赖性、带隙宽度和 Urbach 能的影响。结果表明，辐照导致晶体 β-Ga₂O₃ 薄膜的非晶化和光学特性的显着变化。此外，我们测量了薄膜的表面暗电流和光电导的大小。此外，还研究了薄膜的光敏度的场和光谱依赖性。结果表明，短脉冲辐照改善了非晶态氧化镓薄膜的光电性能。讨论了其原因。

DOI：

doi.org/10.1016/j.omx.2024.100394