【器件论文】基于 Ni/β-Ga₂O₃ 垂直肖特基势垒二极管的高性能日盲紫外线光电探测器

        由西安电子科技大学的研究团队在学术期刊 Nano Letters 发布了一篇名为 High-Performance Solar-Blind Ultraviolet Photodetectors Based on a Ni/β-Ga₂O₃ Vertical Schottky Barrier Diode（基于 Ni/β-Ga₂O₃ 垂直肖特基势垒二极管的高性能日盲紫外线光电探测器）的文章。

摘要

        由于其快速的光响应和易于制造的特点，Ga₂O₃ 肖特基光电二极管正被积极地用于日盲紫外 (SBUV) 检测。然而，由于受到肖特基接触的限制，它们的性能大多未达到预期。本文展示了一种具有超薄阳极电极的 Ni/β-Ga₂O₃ 垂直肖特基势垒二极管 (SBD)。通过简单的表面处理，提高了肖特基结的质量，从而提高了检测性能。暗电流达到了低于历史新低的 12 fA。受益于此，实现了 4.92 × 10⁷ 的超高光暗电流比 (PDCR) 和 2.76 × 10¹⁵ Jones 的比探测率 D*。响应时间也缩短到毫秒级。实验结果表明，该器件在 150 °C 的高温下仍能正常工作。最重要的是，所制造的光电探测器具有良好的均匀性和工作稳定性。研究结果提供了一种简单的大规模生产高性能 Ga₂O₃ 光电探测器的方法，在紫外成像应用中具有巨大的潜力。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c05997