【国内论文】安徽大学研究团队——三种不同 Ga₂O₃ 异质结紫外光电探测器输出特性分析

        由安徽大学的研究团队在学术会议 6th International Conference on Energy Material, Chemical Engineering and Mining Engineering (EMCEME 2024) 发布了一篇名为  Analysis Of Output Characteristics of Three Different Ga₂O₃ Heterojunction UV Photodetectors（三种不同 Ga₂O₃ 异质结紫外光电探测器输出特性分析）的文章。

摘要

        光控场效应晶体管可用作数字电路中的开关和紫外光电探测器中的放大器。氧化镓 (Ga₂O₃) 是用于制造晶体管等常用器件的材料。然而，这些光电探测器通常面临一些漏电流饱和与偏压饱和的问题。调节晶体管开关比通常需要在栅极端施加电压，如果栅极电压超过阈值电压，将导致高电流流过整个晶体管。光控场效应晶体管（LET）的结构与传统场效应晶体管（FET）相似，它们也具有相似的电流和电压输出特性，但不同之处在于 LET 还受光照调节。本文主要集中分析由三种不同材料的异质结制成的 LET 器件：n-/p-GaN、纳米多孔/GaN 和石墨烯/β- ，并分析比较一系列关键参数，例如开关比和响应度等。通过这些比较，本文可以更清楚地了解由不同材料制成的 LET 器件如何更好地适应不同实验的需求。在不同的电压范围和光照强度下，由不同材料制成的LET器件可以更好地适应实验需求。

图 1. 场效应晶体管的结构

图 2. n-Ga₂O₃/p-GaN 异质结构的 XRD 图。Ga₂O₃/GaN异质结的粉末 XRD

DOI：

doi.org/10.54097/yj7jb628