【国际论文】界面特性对 UV-C 光敏电阻性能的影响： 以氧化镓为例

        近期，由意大利帕尔马大学的研究团队在学术期刊 Sensors 发布了一篇名为 Effects of the Interface Properties on the Performance of UV-C Photoresistors: Gallium Oxide as Case Study（界面特性对 UV-C 光敏电阻性能的影响：以氧化镓为例）的文章。

摘要

        电接触对于光敏电阻器的整体性能起着决定性作用，因此至关重要。由于其固有的日盲性和极低的暗电流，未掺杂的 κ-Ga₂O₃ 是在 UV-C 光谱区域具有高性能的光敏电阻器的理想材料。因此，评估接触/κ-Ga₂O₃ 界面的质量至关重要。传输线法不适用于未掺杂的 Ga₂O₃，因为其与几种金属的界面表现出非欧姆特性，且非等效的接触电阻可能会限制其适用性。本文以 SnO_2−x/κ-Ga₂O₃ 接触界面为例，提出了一种评估接触界面质量及其对 UV-C 光敏电阻器传感性能影响的新方法。所提出的方法包括在较宽的电压范围内对两点和四点探针测量进行严格比较。研究表明，接触电阻的影响在低电压下更为明显。所提出的方法可以很容易地扩展到任何类型的金属/半导体或简并半导体/半导体界面。

图 1：（a）带有 TLM 图案的器件；（b）用于获取 I-V 曲线的两点探针和（c）四点探针配置。

图 2. 成对相邻触点的 I-V 曲线：(a) 无照明（暗电流）；(b) 254 nm（50 μW/cm²）照明下；(c) 照明下的总电阻与电极间距离的函数关系；TLM 分析仅应用于初始线性趋势（红色虚线）。

DOI：

doi.org/10.3390/s25020345