【衬底论文】退火温度对 Ga₂O₃:Tb³⁺ 材料光致发光特性的影响

        由桂林电子科技大学的研究团队在学术期刊 Materials Letters 发布了一篇名为 Effect of annealed temperature on photoluminescence properties of Ga₂O₃:Tb³⁺  materials（退火温度对 Ga₂O₃:Tb³⁺ 材料光致发光特性的影响）的文章。

摘要

        通过水热法合成了 Tb 掺杂的 β-Ga₂O₃ 荧光材料，并使用 XRD、SEM、EDS 和 PL 光谱研究了退火温度对晶体结构、形貌和荧光性能的影响。XRD 证实了 Tb³⁺ 的成功掺杂，并在不同的退火阶段观察到了 GaOOH、α-Ga₂O₃ 和 β-Ga₂O₃ 的晶体结构。SEM 显示，未退火的样品具有小的纳米颗粒团聚体，而退火后的样品则形成了团簇。EDS 证实了 Tb 的均匀分布。PL 光谱显示了 Tb³⁺ 的特征发射，峰值分别位于约 490、545、586 和 622 nm 处，对应于 ⁵D₄ → ⁷F₆, ⁵D₄ → ⁷F₅, ⁵D₄ → 7F4 和 ⁵D₄ → ⁷F₃ 跃迁。发射强度在 800 °C 时达到峰值，约为未退火样品的 3.2 倍。此外，还简要分析了 Tb³⁺ 的激发和发射机制。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.matlet.2025.138029