【外延论文】用于紫外光探测的宽带隙半导体的自上而下微纳和纳米结构设计

        由新加坡南洋理工大学的研究团队在学术期刊 Journal of Materials Chemistry C 发布了一篇名为 Top-Down Micro and Nano Structuring of Wide Bandgap Semiconductors for Ultraviolet Photodetection（用于紫外光探测的宽带隙半导体的自上而下微纳和纳米结构设计）的文章。

摘要

        基于III族氮化物、碳化硅（SiC）和其他宽带隙半导体（如金刚石和氧化镓（Ga₂O₃）的日盲紫外线（UV）光电探测器（PDs）具有出色的器件性能，如低暗电流、高响应率、高检测率和高紫外线/可见光抑制比。通过增强光与物质的相互作用实现微纳米结构可进一步提高紫外光探测器件的性能。本综述论文主要包括对各种干法和湿法蚀刻技术方法的详细研究和最新发展，以便在上述材料系统上形成微观和纳米结构。随后还回顾了不同蚀刻技术在光电探测器开发的应用。最后，简要讨论了微纳米结构紫外光探测器件面临的主要挑战和未来发展方向。

原文链接：

https://doi.org/10.1039/D4TC03230F