【外延论文】ICP 蚀刻改善 Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管表面质量的机理

        由福州大学的研究团队在学术期刊 Micro and Nanostructures 发布了一篇名为 Surface Quality Improvement Mechanism of ICP Etching for Ga₂O₃ Schottky Barrier Diode（ICP 蚀刻改善 Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管表面质量的机理）的文章。

摘要

        优化的电感耦合等离子体（ICP）刻蚀工艺可以改善 β-Ga₂O₃ 薄膜的表面质量，从而提高 β- Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管（SBD）的功率品质因数。然而，ICP 蚀刻改善表面质量的机理尚不清楚。在本文中，验证了通过改变 BCl₃ 和 Ar 蚀刻等离子体的比例来改变 β-Ga₂O₃ SBD 的表面质量。此外，还进行了电性能测试，以验证表面质量的改善可以提高电性能。得益于 β-Ga₂O₃ 外延层较高的表面质量，无终端结构的 β-Ga₂O₃ SBD 显示出 4 mΩ-cm² 的低比导通电阻（R_on,_sp）和 1500 V 的高击穿电压（BV）。该研究结果为高性能 β-Ga₂O₃ 功率 SBD 的制备奠定了基础。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.micrna.2025.208073