【器件论文】沉积温度对生长在柔性云母上的 Ga₂O₃ 薄膜特性及相应光电探测器性能的影响

        由桂林电子科技大学的研究团队在学术期刊 ACS Applied Optical Materials 发布了一篇名为 Effect of Deposition Temperature on the Characteristics of Ga₂O₃ Films Grown on Flexible Mica and the Performance of Corresponding Photodetectors（沉积温度对生长在柔性云母上的 Ga₂O₃ 薄膜特性及相应光电探测器性能的影响）的文章。

摘要

        本研究制备了基于不同衬底温度下获得的 Ga₂O₃/云母柔性结构的柔性 Ga₂O₃ 光电探测器 (PD)。较高的衬底温度会导致薄膜具有更高质量的晶体，但也会降低 PD 的光响应度。同时，PD 的暗电流逐渐减小，响应时间显着缩短。在 20 V 偏压和约 380 μW/cm² 的弱紫外光照（254 nm 处）下，在 440 °C 下制备的 PD 表现出 4.45 W/A 的响应度。它还表现出 6.07 × 10¹² Jones 的高探测率 (D*) 和 4.42 × 10^–13 W/Hz^1/2 的极低噪声等效功率 (NEP)。在 680 °C 下，PD 表现出极低的暗电流（20 V 时为 1.6 × 10^–13 A）和快速响应时间（τ_rise: 0.89 s, τ_decay: 0.26 s）。此外，在弯曲测试中，PD 保持了几乎恒定的性能，展示了出色的柔韧性，并揭示了 Ga₂O₃ 柔性 PD 在未来可穿戴电子产品中的潜在应用。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acsaom.4c00394