【器件论文】Ga₂O₃ 纳米片场效应晶体管的氧灵敏度

        由天津大学的研究团队在学术期刊 Applied Surface Science 发布了一篇名为 Oxygen sensitivity of Ga₂O₃ nanosheet field-effect transistor（Ga₂O₃ 纳米片场效应晶体管的氧灵敏度）的文章。

摘要

        通过热氧化法在 GaAs 上生长 (100) 取向的 Ga₂O₃ 纳米片，然后通过范德华力将其转移到 SiO₂/n⁺-Si 衬底上。之后，将具有无污染表面的 Ga₂O₃ 纳米片制成场效应晶体管 (FET)，通过背栅调制显示出 > 10⁷ 的高电流开关比。随着氧气压力 PO₂ 从 0.01 增加到 100 Pa，纳米片 FET 的阈值电压 V_T 呈现出明显的负向漂移，从 -20.3 V 漂移到 -28.0 V。此外，该 FET 在脉冲 254 nm 光照下表现出较高的光响应可控性。研究发现，较高的 PO₂ 会导致光照下较低的光电流，并在光照中断时导致更快的衰减过程。Ga₂O₃ 纳米片 FET 的氧气敏感性可以通过氧气吸附与其表面未饱和悬挂键之间的相互作用很好地解释。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2025.162391