【其他论文】水热法合成的掺杂 Ge 的 Ga₂O₃ 纳米结构具有更强的光催化性能

        由韩国航空大学的研究团队在学术期刊 Semiconductor Science and Technology 发布了一篇名为 Enhanced photocatalytic properties of Ge-doped Ga₂O₃ nanostructures synthesized via hydrothermal method（水热法合成的掺杂 Ge 的 Ga₂O₃ 纳米结构具有更强的光催化性能）的文章。

摘要

        成功通过水热法合成了掺有 1.4 at. % 锗（Ge）掺杂的 β-Ga₂O₃ 纳米结构，并在 1000°C 的氧气氛围下进行退火处理。利用高分辨率 X 射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）、透射电子显微镜（TEM）和能量色散光谱（EDS）对本征及 Ge 掺杂的 β-Ga₂O₃ 纳米结构的晶体结构和形貌进行了分析。通过光致发光（PL）测量探讨了带隙内缺陷相关的能级。光催化活性通过水溶液中亚甲基蓝（methylene blue）的降解来评估。当 Ge 掺杂浓度超过 1.4 原子百分比时，β-Ga₂O₃ 纳米结构中会形成 Ge 基沉淀。与其他掺杂物（如Sn、Al 和 Cr）类似，Ge 的控制掺入显著提高了光催化性能，并有可能改善 Ga₂O₃ 基器件的电子和光学特性。

原文链接：

https://doi.org/10.1088/1361-6641/ada9cd