【器件论文】脉冲激光沉积法生长的自供电 β-Ga₂O₃/p-Si 光电探测器的缺陷抑制和光电特性研究

        由越南黎贵敦技术大学的研究团队合作在学术期刊 Journal of Physics D: Applied Physics 发布了一篇名为Defect suppression and optoelectronic properties investigation of self-power β-Ga₂O₃/p-Si photodetector grown by pulsed laser deposition（脉冲激光沉积法生长的自供电 β-Ga₂O₃/p-Si 光电探测器的缺陷抑制和光电特性研究）的文章。

摘要

        脉冲激光沉积方法因其在沉积过程中精确控制气压和温度，能够有效减少半导体中的缺陷。本研究通过深能级瞬态光谱（DLTS）探讨了在不同氧气压力下使用脉冲激光沉积方法制备的 β-Ga₂O₃/p-Si 异质结中的缺陷状态。当氧气压力从 0 增至 25 mTorr 时，伴随氧空位的电子捕获态（EC −1.21 eV）消失，总缺陷密度减少了 1.6 倍。当氧气压力达到 55 mTorr 时，发现了位于 EV + 0.57 eV 的镓空位孔捕获态。该孔捕获态的存在表明，β-Ga₂O₃ 是在富氧环境下生长的。光致发光结果与 DLTS 数据一致，表明在 25 mTorr 时， β-Ga₂O₃/p-Si 器件的光响应度达到峰值（330 mA W⁻¹）。这一结果表明，缺陷的减少改善了载流子的传输性能。我们的发现为提高 β-Ga₂O₃/p-Si 器件的光电性能提供了一种可能的途径。

原文链接：

https://doi.org/10.1088/1361-6463/adab00