行业标准
论文分享

【国内论文】内蒙古工业大学---通过无机溶胶-凝胶旋涂制备的 β-Ga₂O₃ 薄膜:制备与表征

日期:2025-03-17阅读:108

        由内蒙古工业大学的研究团队在学术期刊 Nanomaterials 发布了一篇名为 β-Ga2O3 Thin Films via an Inorganic Sol–Gel Spin Coating: Preparation and Characterization(通过无机溶胶-凝胶旋涂制备的 β-Ga2O3 薄膜:制备与表征)的文章。

摘要

        由于超宽带隙,β-Ga2O3 在紫外(UV)探测器和高功率器件中具有广阔的应用前景。然而,制备大面积薄膜的低成本方法仍然面临挑战。本研究采用无机溶液反应旋涂法制备 β-Ga2O3 薄膜,并通过后续退火处理对其进行表征。利用 X 射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见分光光度法 对薄膜的结构、表面形貌和光学性能进行表征。采用低成本的 Ga 金属生成 NH4Ga(SO4)2,然后将其转化为前驱体溶液,通过旋涂法涂覆在蓝宝石和石英衬底上。经过十次旋涂周期后,薄膜表面变得更加平滑,但较高的退火温度会导致更多的裂纹。经旋涂和预热处理后,十次循环的薄膜在 (0001) 蓝宝石衬底上退火至 800 ℃,展现出 [–201] 方向的优选取向。所有薄膜在紫外-可见光范围(波长大于 400 nm)内均表现出 85% 以上的高透过率。在 (0001) 蓝宝石衬底上,经过 800 ℃ 和 1000 ℃ 退火的薄膜分别表现出 4.8 eV 和 4.98 eV 的带隙。相比于石英,蓝宝石衬底在制备高质量 Ga2O3 薄膜方面表现出更优的兼容性。此方法提供了一种成本效益高且高效的制备 β-Ga2O3 薄膜的途径,具有广阔的光电子应用潜力。

图 1. 采用溶液旋涂法和后退火工艺制备的 Ga2O3 薄膜示意图。步骤(1):Ga 与 H2SO4 反应。步骤(2):反复蒸发和过滤。步骤(3):反复蒸发和分离,形成 NH4Ga(SO4)2·12H2O 晶体。步骤(4):蒸发、熔化并加入有机溶剂,形成前驱体溶液。步骤(5):将溶液旋涂在基底上。步骤(6):在 150 °C 下预热。步骤(7):5-10 个循环的旋涂和预热过程。步骤(8):在 800-1000 °C 下进行后退火,生成最终的 Ga2O3 薄膜。

图 2. 合成的 NH4Ga(SO4)2 粉末的 X 射线衍射 (XRD) 图,其中插图为合成的 NH4Ga(SO4)2·12H2O 晶体。注:ICDD/PDF 代表国际衍射数据中心/粉末衍射文件。

DOI:

doi.org/10.3390/nano15040277