【外延论文】掺氟 N 型 α-Ga₂O₃ 及其相稳定性

        由韩国庆北大学的研究团队在学术期刊Crystal Growth & Design发布了一篇名为Fluorine-Doped N-Type α-Ga₂O₃ and Its Phase Stability（掺氟 N 型 α-Ga₂O₃ 及其相稳定性）的文章。

摘要

        本研究探讨了氟（F）掺杂对生长在蓝宝石基底上的亚稳态 α-Ga₂O₃ 电学和结构性能的影响。与常见的 Ga 替代掺杂剂锡（Sn）相比，氟掺杂的 α-Ga₂O₃ 显示出更高的导电性，室温下的霍尔迁移率达到 42 cm²/V·s，载流子浓度约为 1 × 10¹⁹ cm^–3。而相同载流子浓度的 Sn 掺杂 α-Ga₂O₃ 的霍尔迁移率则低于 10 cm²/V·s。此外，氟掺杂的 α-Ga₂O₃ 在电学和结构性能方面均表现出比未掺杂和 Sn 掺杂样品更好的热稳定性。其相稳定性得到了增强，氟掺杂的 α-Ga₂O₃ 即使在高达 700 °C 的温度下退火或生长，仍能保持单相结构。Ti 基金属接触层与氟掺杂 α-Ga₂O₃ 形成的接触展现了欧姆特性，退火后接触电阻率为 6.5 × 10^–5 Ω·cm²。总的来说，氟掺杂为高性能 α-Ga₂O₃ 器件提供了有希望的改进。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acs.cgd.4c01372