【外延论文】p 型氮化镓上片状剥离 Ga₂O₃ 的紫外光响应和电致发光

        由韩国檀国大学的研究团队在学术期刊 ECS Journal of Solid State Science and Technology 发布了一篇名为 Ultraviolet Photoresponse and Electroluminescence of Exfoliated Ga₂O₃ Flake on p-type GaN（p 型氮化镓上片状剥离 Ga₂O₃ 的紫外光响应和电致发光）的文章。

摘要

        β 相 Ga₂O₃（β-Ga₂O₃）由于其 4.9 eV 的大带隙，是一种有前途的深紫外（UV）太阳盲光探测器材料。采用简便的机械剥离和转移方法，在 p 型 GaN（p-GaN）表面形成了高晶体质量的二维 β-Ga₂O₃ 薄片，并制造了由 n 型 β-Ga₂O₃ 薄片与 p 型 GaN 基片组成的异质结光二极管。该器件展现出典型的整流电流-电压（I-V）特性，在 ±2 V 时具有 4.0×10⁵ 的整流比。该光探测器在 365 nm 和 254 nm 紫外光照射下均有响应，365 nm 时的光电流与暗电流比为 5.64×10⁵%，而 254 nm 时为 3.38×10⁵%。通过动态时间依赖光电流测量，获得了 365 nm 和 254 nm 深紫外曝光的上升时间和衰减时间常数。此外，在高正向偏置条件下，还观察到了 p 型 GaN/n 型 Ga₂O₃ 异质结二极管的电致发光。

原文链接：

https://doi.org/10.1149/2162-8777/adb20e