【器件论文】表面紫外/臭氧处理对 Pt/Ga₂O₃/SiC 肖特基二极管电特性的影响

        由韩国光云大学的研究团队合作在学术期刊 Applied Physics A 发布了一篇名为 Effects of surface ultraviolet/ozone treatment on the electrical characteristics of Pt/Ga₂O₃/SiC Schottky diodes（表面紫外/臭氧处理对 Pt/Ga₂O₃/SiC 肖特基二极管电特性的影响）的文章。

摘要

        该研究探讨了紫外线/臭氧（UV/O₃）处理对 Pt/Ga₂O₃ 二极管的电气和形态特性的影响。表面处理对基于氧化镓（Ga₂O₃）的器件至关重要，因为它能减少表面缺陷，改善界面质量，从而显著提高器件性能。利用电容-电压 (C-V)、电流-电压 (I-V)、击穿电压 (BV) 和随温度变化的电流-电压 (I-V-T) 测量进行了电学表征。通过 X 射线光电子能谱 (XPS) 和原子力显微镜 (AFM) 进行了表面分析。经 UV/O₃ 处理的二极管性能有所提高，其导通/关断比从 5.60 × 10³ 提高到 2.49 × 10⁴，反向漏电流也有所降低。此外，处理还减少了肖特基势垒的不均匀性，表明金属/半导体界面更加均匀。XPS 和原子力显微镜证实，这些改进归因于氧空位缺陷的减少和表面形貌的增强。结果表明，UV/O₃ 处理通过控制界面特性，有效地提高了基于 Ga₂O₃ 的二极管的性能。

原文链接：

https://doi.org/10.1007/s00339-024-08198-9