【外延论文】通过分子层析在硅上合成的 Ga₂O₃ 层的特征

        由俄罗斯圣彼得堡国立大学的研究团队在学术期刊 Crystallography Reports 发布了一篇名为Features of the Ga₂O₃ Layers Synthesized on Silicon by Molecular Layering（通过分子层析在硅上合成的 Ga₂O₃ 层的特征）的文章。

摘要

        本文展示了利用三甲基镓和臭氧前驱体通过经典的热分子层沉积法合成氧化镓半导体层，并且能够控制合成层的电学特性。通过单次循环，将指定厚度的均匀层沉积在硅衬底、单晶石英以及高纵横比的 3D 衬底（如微通道板）上。合成的氮化镓层为非晶态，符合 Ga₂O₃ 的化学计量比；其带隙为 4.9 ± 0.2 eV，并且未表现出杂质导电性。通过改变前驱体的化学组成，按照指定程序，通过分子层沉积法成功获得了具有杂质导电性的氧化镓薄膜。

原文链接：

https://doi.org/10.1134/S1063774524602107