【器件论文】氧空位对 Ga₂O₃ 光探测性能的影响： 全面综述

        由印度加尔戈提亚斯大学的研究团队在学术期刊 Journal of Electronic Materials 发布了一篇名为 Impact of Oxygen Vacancies on Photodetection Performance of Ga₂O₃: A Comprehensive Review（氧空位对 Ga₂O₃ 光探测性能的影响： 全面综述）的文章。

摘要

        随着国防领域对安全性和可靠性需求的增加，光纤通信系统、过程控制、环境传感以及先进可穿戴光电探测器等各类科学进展有望得到显著发展。具有 4.9 eV 宽带隙的氮化镓（Ga₂O₃）被认为是下一代深紫外（DUV）光电探测器的重要材料。Ga₂O₃ 薄膜由于其固有的氧空位（V_O），在用作光电探测器时展现出较高的响应度和快速的响应时间。缺陷调控、退火温度和掺杂等是提高光传感器开关速度和载流子转移速率的关键步骤。后退火处理如氮掺杂、重结晶以及 V_O 浓度调整等已被证明能显著提升光敏性。本文详细讨论了退火温度、沉积压力和缺陷工程等参数在提高 Ga₂O₃ 基光电探测器性能中的作用。

原文链接：

https://doi.org/10.1007/s11664-025-11746-5