【外延论文】利用镓预沉积技术实现 κ-Ga₂O₃ 多晶体

        由韩国航空大学的研究团队在学术期刊 Crystal Growth & Design 发布了一篇名为 Implementing κ-Ga₂O₃ Polymorphs Using Ga Predeposition（利用镓预沉积技术实现 κ-Ga₂O₃ 多晶体）的文章。

摘要

        单相 κ 相氧化镓（κ-Ga₂O₃）由于与蓝宝石衬底的晶格常数不匹配，通常在低温下难以生长。研究报告了镓（Ga）预沉积有效缓解了这种晶格不匹配，使得 κ-Ga₂O₃ 外延层能够在低温下生长，而不是更常见的 α-Ga₂O₃ 外延层。高分辨率 X 射线衍射表明，通过控制氯化镓（GaCl）流量，可以生长纯净的 α 相和 κ 相 Ga₂O₃，而不会形成混合相。对单一 κ 相和混合相 Ga₂O₃ 样品的结构和光学性能进行了分析。此外，使用 κ-Ga₂O₃ 薄膜和通过镓预沉积层放松晶格不匹配在低温下生长的外延层，制备了金属–半导体–金属结构的深紫外光探测器器件。该器件在 260 nm 处表现出尖锐的响应，具有最高的响应度，表明所生长的 κ-Ga₂O₃ 具有作为高选择性的紫外 C 波段探测器的潜力。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acs.cgd.4c01259