【国际论文】用于深紫外光探测的 Ga₂O₃ 异质结综述： 当前的进展、方法和挑战

        由英国斯旺西大学的研究团队在学术期刊 Advanced Electronic Materials 发布了一篇名为 A Review of Ga₂O₃ Heterojunctions for Deep-UV Photodetection: Current Progress, Methodologies, and Challenges（用于深紫外光探测的 Ga₂O₃ 异质结综述： 当前的进展、方法和挑战）的文章。

摘要

        近年来，氧化镓（Ga₂O₃）作为一种超宽带隙半导体，因其在功率电子、光电探测和气体传感等领域的潜在应用而备受关注。然而，Ga₂O₃ 作为独立材料存在关键局限性，尤其是其缺乏 p 型掺杂能力。而 Ga₂O₃ 异质结成为一种有前景的解决方案。其中，紫外（UV）光探测是 Ga₂O₃ 及其异质结的重要应用方向，尽管该领域已取得显著进展，但仍处于早期阶段，具有广阔的优化与探索空间。本综述详细概述了 Ga₂O₃ 技术的最新进展，重点探讨了当前挑战及应对策略，并深入分析了 Ga₂O₃ 异质结在深紫外光探测中的应用，包括兼容电极材料的选择、衬底对 Ga₂O₃ 生长的适配性优化等。本文旨在为 Ga₂O₃ 基异质结（尤其是紫外光探测领域）的研究人员和工程师提供全面的技术参考。针对刚进入该领域的研究者，文中系统梳理了 Ga₂O₃ 技术的基础知识，以支持该方向的持续创新与应用拓展。

图1  a) β 相氧化镓的能带结构。费米能级对齐至零。b) 单斜氧化镓 DOS（数据经许可转载。）

图2  a) 氧化镓（Ga₂O₃）的不同相合成路径。b) 氧化镓不同晶相的晶体学特性（数据经许可转载。）

DOI：

doi.org/10.1002/aelm.202400898