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【国内新闻】SEMICON China首届亚洲化合物半导体大会4场分会成功举办！
日期：2025-04-03阅读：122
亚洲化合物半导体大会继25日开幕主题演讲后，26日、27日又相继举办了4场分会。
3月26日上午举办的分会1聚焦：超宽禁带半导体材料，由苏州能讯高能半导体技术副总裁裴轶主持。
奥趋光电首席执行官吴亮、元素六首席科学家Ian Friel、北京铭镓半导体有限公司首席执行官陈政委、化合积电（厦门）半导体科技有限公司首席执行官张星和北京特思迪半导体设备有限公司副总裁蒋继乐先后做了“PVT方法生长的氮化铝单晶最新进展及器件展望”、“用于下一代半导体器件的先进CVD金刚石解决方案”、“第四代半导体氧化镓的产业发展现状与前景”、“超宽禁带金刚石半导体材料和器件研究进展”和“金刚石材料精密抛光技术的研究进展”的专题报告。论坛围绕氮化铝、氧化镓、金刚石等前沿材料的制备技术、性能优化及产业应用展开，展望第四代半导体技术的未来发展。
3月26日下午举办的分会2关注：化合物半导体的革新技术，由润新微电子（大连）有限公司技术副总经理王荣华主持。
Yole集团高级分析师Poshun CHIU、杭州镓仁半导体有限公司联合创始人江继伟、北京北方华创微电子装备有限公司化合物半导体行业总经理李仕群、盖泽半导体总经理兼首席执行官任杰、Veeco公司产品线管理高级总监Matthew Marek、ALLOS SEMICONDUCTOR CTO Nishikawa Atsushi、北京晶亦精微科技股份有限公司CMP技术应用与开发经理潘宏明、DCA Instruments Oy亚洲区销售总监Martyn Green，先后做了“化合物半导体概述及宽禁带和超宽禁带技术的创新展望”、“大尺寸高质量第四代半导体氧化镓单晶衬底材料新进展”、“同芯共赢 以装备创新推动第三代半导体产业蓬勃发展”、“FTIR在化合物半导体浓度量测的技术与设备”、“分子束外延制造新技术”、“300 mm 硅基氮化镓 Micro LED 外延片的精确应变工程，打开通向硅晶圆制造之路”、“用于高质量SiC衬底和器件制造的化学机械抛光（CMP）解决方案”和“用于光子应用的300mm硅基BTO薄膜的生产工艺”的专题报告。论坛围绕化合物半导体全产业链，系统性探讨了材料-工艺-设备-应用的技术协同创新，凸显宽禁带技术对下一代半导体产业变革的引领作用。
3月27日上午举办的分会3话题是：III-V 化合物半导体，由苏州汉骅半导体有限公司董事长袁义倥主持。
聯穎光電股份有限公司技術長林嘉孚、苏州长光华芯光电技术股份有限公司执行总监李顺峰、上海菲莱测试技术有限公司集团副总裁薛银飞、美国AXT公司首席技术官高伟和中科院半导体所教授张宇，先后做了“频域化合物半导体之旅”、“高功率半导体边缘及表面发射激光器的研究与开发”、“化合物半导体及集成电路可靠性测试验证技术介绍”、“面向未来市场的化合物半导体材料”和“锑化物激光器的研究进展”的专题报告。论坛系统探讨了III-V化合物半导体在高频、光电、可靠性、规模化等维度的技术创新与产业实践。
27日下午登场的分会4侧重：氮化镓，碳化硅材料、设备及功率器件应用，由昂坤视觉（北京）科技有限公司首席执行官马铁中主持。
青岛思锐智能科技股份有限公司副总经理陈祥龙、Wolfspeed公司功率器件发展副总裁Guy Moxey、Onto Innovation的Charles Chen博士、Power Integrations资深技术培训经理阎金光、泛林集团特色工艺及战略营销副总裁David Haynes、意法半导体亚太区功率分立和模拟产品器件部市场和应用副总裁Francesco MUGGERI、日本SICOXS有限公司总裁Koya Shimizu和北京天科合达半导体股份有限公司首席技术官刘春俊，先后做了“功率与化合物半导体制造双引擎：原子层沉积和离子注入的创新实践”、“电气化新境界：碳化硅的赋能效应”、“用于SiC和GaN功率技术的高灵敏度与高产能缺陷检测技术”、“碳化硅与超高压氮化镓：冲击与较量”、“迎接300毫米氮化镓器件制造工艺”、“创新半导体：实现高能效和高性价比解决方案的关键”、“解决 4H-SiC 键合衬底的使用问题的建议”和“8英寸碳化硅衬底及外延材料的最新进展”的专题报告。论坛深度解析了宽禁带半导体（GaN/SiC）在材料、工艺、设备、应用四大维度的技术突破与产业竞合，二者协同创新共同驱动功率半导体向高效化、集成化、低成本方向演进。
