【会员新闻】NCT加快量产氧化镓从衬底制造到外延成膜、器件开发

NCT总部

      NCT着手新材料氧化镓（Ga₂O₃）衬底的制造和开发。

      低成本对于材料物理性质优秀的氧化镓在功率器件中的广泛应用至关重要。除了生长速度和易加工性等优势外，也在加速装置的自主研发等并完善量产体制。

      在埼玉县狭山市的总工厂，进行晶体结晶、衬底制造、生长外延片，器件的制造则委托给代工工厂（代工生产企业）。

      在总部大约有20名员工，负责结晶、衬底和外延工程。同时也有相同的研究开发人员，正在加强制造和开发系统。

正在进行外延生长的无尘室  预计增加外延成膜设备

      NCT的β氧化镓晶体可以使用与硅相同的熔融生长方法进行生长。它的优势在于其长晶速度。SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）使用引入气体的气相成长法，1小时生长速度只能达到几百微米。在熔融生长方法的情况下，同样可以生长几十毫米，高速化有助于实现低成本生产。

      对比需要特殊的机器应对特别坚硬的SiC，氧化镓更为柔软，便于加工。为此加工硅制晶圆的设备也可广泛运用到需要切片和研磨等来加工氧化镓衬底，在降低成本这点上很重要。

      NCT在内部进行外延生长，以实现高纯度的成膜。运用HVPE法（气相外延）推进外延成膜装置的实用化。使用金属氯化物的成膜法有望降低原材料的成本。

      现在正在开发一次可以数枚成膜的设备，并且与大阳日酸共同开发可以应对6英寸的量产装置。预计2023年导入4英寸装置，2025年导入6英寸装置。