【其他论文】通过前驱体浓度调节 β-Ga₂O₃ NRs/p-GaN/Sapphire 的形态和光学特性，实现高性能 MSM 紫外光检测器应用

        由马来西亚理科大学的研究团队在学术期刊 Optical Materials 发布了一篇名为 Morphological and Optical Tuning of β-Ga₂O₃ NRs/p-GaN/Sapphire via Precursor Concentration for High-Performance MSM UV Photodetector Application（通过前驱体浓度调节 β-Ga₂O₃ NRs/p-GaN/Sapphire 的形态和光学特性，实现高性能 MSM 紫外光检测器应用）的文章。

摘要

        该项研究采用水热法在 p-GaN/蓝宝石衬底上合成了 β-Ga₂O₃ 纳米棒（NRs），并研究了不同摩尔浓度（0.03 M、0.04 M、0.05 M 和 0.06 M）的硝酸镓水合物对纳米棒在金属-半导体-金属（MSM）紫外光探测器应用中的影响。场发射扫描电子显微镜（FESEM）分析显示，随着摩尔浓度的增加，β-Ga₂O₃ 纳米棒的厚度、长宽比和表面粗糙度均有所增加。X 射线衍射（XRD）分析表明，β-Ga₂O₃ 纳米棒呈现单斜晶系结构，并通过拉曼光谱进一步证实其晶体特性。紫外-可见光谱分析表明，β-Ga₂O₃ 纳米棒的禁带宽度随摩尔浓度的增加而降低。在 260 nm 紫外光照射下，Pt/β-Ga₂O₃ NRs/Pt MSM 紫外光探测器在 0.04 M 浓度时表现优于其他器件，其性能参数：响应度（Responsivity）为 1.19 × 10^-1 A/W、探测率（Detectivity）为 1.14 × 10⁹ Jones、外量子效率（EQE）为 56.9%、噪声等效功率（NEP）为 2.13 × 10^-10 W/Hz^1/2、灵敏度（Sensitivity）为730.7%。

        研究表明，β-Ga₂O₃ 纳米棒是一种极具潜力的材料，可用于高性能 MSM 紫外光探测器的设计和应用。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.optmat.2025.116927