【其他论文】金刚石 (001) 单晶衬底上 Ga₂O₃ 薄膜的外延生长和能带排列

        由厦门大学的研究团队在学术期刊 Journal of Alloys and Compounds 发布了一篇名为 Epitaxial growth and band energy alignment of Ga₂O₃ films on diamond (001) single crystal substrate（金刚石 (001) 单晶衬底上 Ga₂O₃ 薄膜的外延生长和能带排列）的文章。

摘要

        Ga₂O₃ 和金刚石等超宽带隙半导体因其极宽的带隙和出色的电场耐受性，在高功率电子器件和辐射探测领域引起了广泛关注。为了拓展其应用范围，构建 p-n 结至关重要。研究团队详细探讨了 β 相 Ga₂O₃ 薄膜在金刚石 (001) 单晶衬底上的异质外延生长及界面能带特性。实验成功外延生长了高晶体质量的 β-Ga₂O₃(-201) 薄膜，其面内外延关系为 β-Ga₂O₃[1-10]||金刚石[110]和 β-Ga₂O₃[132]||金刚石[110]。高分辨 X 射线光电子能谱（XPS）分析表明，价带和导带偏移量分别为 1.41 eV 和 2.03 eV，确认该异质界面呈“type-II”能带对准。此外，在金刚石界面区域观察到显著的 1.32 eV 向下内建电势。这一异质结的能带结构有助于提高载流子的分离与迁移效率，使其在高功率电子器件和探测器领域具有重要应用价值。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2025.179558