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【国际时事】英国斯旺西大学CISM建立首个4英寸氧化镓薄膜生长能力的平台
日期：2025-04-17阅读：54
位于英国南威尔士的斯旺西大学集成半导体材料中心（CISM），利用一台新投入使用的 AIXTRON 紧密耦合喷淋头（CCS）沉积系统，建立了英国首个可在 4 英寸衬底上生长氧化镓（Ga2O3）薄膜能力的平台。据称，该系统已成功制备出极高质量且均匀性优异的氧化镓薄膜。
图：氧化物和硫属化物 MOCVD 设备中的 AIXTRON CCS，正在卸除蓝宝石上的 4 英寸氧化镓薄膜。(图片由斯旺西大学提供）。
这一先进设备由英国工程与自然科学研究委员会（EPSRC）战略设备项目资助，资助金额为 270 万英镑。
该设备部署在 CISM 新建的氧化物与硫属化物金属有机化学气相沉积（MOCVD）实验室中，该实验室现已成为英国氧化镓薄膜研究的国家级研发枢纽，研究方向涵盖功率电子、深紫外光探测器和透明导电氧化物（TCO）应用等。
斯旺西大学氧化物与硫属化物 MOCVD 中心的研究负责人 Dan Lamb 博士表示“建立的新设施标志着我们的研究迈出了重要的一步，我对其为新材料与器件开发带来的可能性感到无比兴奋。有了这套先进的设备，我们不仅可以进一步拓展现有研究，也将创造出与国内外研究团队合作的新机会。”
隶属英国国家外延设施（NEF）的John Heffernan 教授指出：“斯旺西大学的 MOCVD 平台现已向所有研究人员开放，研究人员可通过直接通过联系合作使用该设施，也可通过与国家外延设施合作开展的 ‘Pump Priming’ 试点计划获得可行性研究的支持。该计划确保学术界与工业界的合作伙伴都能借助斯旺西在外延薄膜生长方面的专长，加速其研究与技术开发。”
斯旺西大学同时作为南威尔士化合物半导体产业集群 CSconnected 的成员，还包括Vishay、KLA、Microchip 和 IQE 等其他成员企业。
Vishay Newport公司负责质量管理与对外事务总监 Sam Evans 表示：“这一平台的建立是我们南威尔士半导体集群在宽禁带材料创新领域迈出的关键一步，也为该地区先进功率电子制造能力的提升打下了基础。例如 Vishay 近期宣布将投资 2.5 亿英镑用于扩大其碳化硅（SiC）元件的产能。”
