【国际时事】大阳日酸在东京农工大学设置MOCVD装置用研究于氧化镓（Ga₂O₃）并开始运行

      大阳日酸在国立大学法人东京农工大学熊谷义直教授的研究室里设置了一台MOCVD装置用于研究和开发。该装置型号为FR2000-OX的MOCVD装置，处理能力为2英寸1枚。用于氧化物的MOCVD生长炉具有高纯度和高速生长的特点，可满足在β-Ga₂O₃基底上进行厚膜和多晶混合晶体生长的需要，用于研究高性能电子器件。

FR2000-OX 装置外观

FR2000-OX 反应炉（加热中）

      β-氧化镓（β-Ga₂O₃）作为替代硅的下一代节能设备（功率器件）的半导体材料，受到关注。2020年10月，大阳日酸和东京农工大学于开始共同研究基于金属有机化合物化学气相沉淀（MOCVD）技术进行β-Ga₂O₃薄膜生长，并于2021年3月成功实现了至今都难以实现的β-Ga₂O₃的金属有机化合物化学气相沉淀。

      今后，使用大阳日酸开发的对应氧化物MOCVD系统（FLOW CHANNEL部门：已获专利），将制造出复杂的器件结构，这有望进一步活跃该材料的研究和开发的势头。