【器件论文】在低工艺温度下形成用于 PN 异质结二极管的 Ga₂O₃ 和 NiO 薄膜

        由韩国航空大学的研究团队在学术期刊 ACS Applied Electronic Materials 发布了一篇名为 Formation of Ga₂O₃ and NiO Thin Films at Low Process Temperatures for PN Heterojunction Diodes（在低工艺温度下形成用于 PN 异质结二极管的 Ga₂O₃ 和 NiO 薄膜）的文章。

摘要

        该文章报道了一种在低工艺温度下制备的 n 型 Ga₂O₃ 与 p 型 NiO 薄膜异质结结构。该技术在实现宽禁带半导体异质结在多种基底上的应用方面展现出潜力。通过 Tauc 图分析，Ga₂O₃ 与 NiO 的光学带隙分别为 4.67 eV 与 3.62 eV。在热平衡条件下，该异质结中自发形成的耗尽区具有明显的电容特性；而在开启电压范围内，电阻分量参与载流子传输。当 n 型 Ga₂O₃ 层厚度为 50 nm 时，异质结界面处的最大电场强度相比于厚度超过 400 nm 的 Ga₂O₃，提升了五倍。然而，当结层厚度小于耗尽层宽度时，由于 PN 结界面处的最大电场急剧上升，器件容易发生提前击穿。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acsaelm.5c00092