【其他器件】β-Ga₂O₃ 中极子的形成与传输：从源头计算的研究

        由河南大学的研究团队在学术期刊 The Journal of Physical Chemistry C 发布了一篇名为 Formation and Transport of Polarons in β-Ga₂O₃: an Ab Initio Study（β-Ga₂O₃ 中极子的形成与传输：从源头计算的研究）的文章。

摘要

       从第一性原理出发研究了 β-Ga₂O₃ 中小空穴极化子的形成，考虑了其与所有声子模式的耦合。研究结果表明，小空穴极化子可以在多个氧位点形成，即 O_I、O_II 和 O_III 位点，其中 O_II 位点最为稳定。在这些三个氧位点形成极化子时所涉及的声子耦合表现出极小的差异。然而，在 O_II 位点，局域空穴源自整个最高价带（EHVB），而在 O_I 和 O_III 位点，局域空穴态是 EHVB 和较低能带的杂化态。这种差异导致 O_II 位点的小空穴极化子电子权重贡献较低，从而使得该位点的极化子形成能最低。O_II 位点间小空穴极化子的跃迁是通过绝热过程进行的，其活化能为 0.37 eV。此外，研究人员采用相同的方法研究了β-Ga₂O₃ 中的电子极化子，但未发现大或小极化子态的证据。这项研究为β-Ga₂O₃ 中的极化子物理提供了新的见解，并为理解及探索相关材料中的极化子提供了指导。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.5c01741