【外延论文】调整电子束蒸发法沉积的氧化镓薄膜的退火持续时间

        由马来西亚理科大学的研究团队在学术期刊 Ceramics International 发布了一篇名为 Tailoring annealing duration of gallium oxide film deposited by electron beam evaporation（调整电子束蒸发法沉积的氧化镓薄膜的退火持续时间）的文章。

摘要

        研究了退火时间对 β-Ga₂O₃ 薄膜各种特性的影响，包括形貌、拓扑、成分、结构、光学和光电特性。这些薄膜通过电子束蒸发沉积在硅/蓝宝石衬底上，然后在 900°C 下分别退火 10、20、30 和 60 分钟。原子力显微镜观察到，退火 30 分钟的薄膜的最大表面粗糙度为 10.70 nm。场发射扫描电子显微镜显示，随着退火时间的延长，晶粒大小由小而密集的晶粒变为大而均匀的晶粒。X 射线衍射表明，薄膜的结构从无定形转变为多晶体，在 30 分钟时达到最佳结构参数（全宽半最大值、应变和位错密度的最小值）。薄膜的光电参数，如折射率和堆积密度，随着退火时间的延长而增加，在 30 分钟时达到最大值。相反，孔隙率等参数随着退火时间的延长而降低，在退火时间为 30 分钟时达到最小值。其他参数，如吸收系数、消光系数、薄片电阻和热发射率，与退火时间的长短没有明显的趋势关系。因此，根据表征结果，建议最佳沉积后退火持续时间为 30 分钟。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2025.04.412