【其他论文】不同层周期单斜 Al₂O₃/Ga₂O₃ 超晶格的结构和电子特性研究

        由香港科技大学（广州）的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为 Investigation on the structural and electronic property of monoclinic Al₂O₃/β-Ga₂O₃ superlattice with varying layer periods（不同层周期单斜 Al₂O₃/Ga₂O₃ 超晶格的结构和电子特性研究）的文章。

摘要

        在该项研究中，采用第一性原理计算方法，探讨了具有不同层厚度的单斜 Al₂O₃/Ga₂O₃ 超晶格的结构和电子特性，并与  (Al_xGa_1−x)₂O₃ 合金进行了对比分析。研究了不同 Al 含量下超晶格结构和合金的晶格常数及电子能带隙，以揭示成分与电子特性之间的复杂关系。

电子特性分析表明，随着 Al₂O₃/Ga₂O₃ 超晶格中 Al₂O₃ 单层数从 2 层增加到 6 层，能带隙相应地从 5.29 eV 扩展至 6.43 eV。此外，单斜 Al₂O₃ 和 Ga₂O₃ 之间表现出 II 型能带对齐。随着 Al₂O₃ 单层数的变化，块状材料与 Al₂O₃/Ga₂O₃ 超晶格之间的导带和价带偏移也随之变化。研究深入揭示了 Al₂O₃/Ga₂O₃ 超晶格的物性，并为 (Al_xGa_1−x)₂O₃ 合金中 Al 相分离问题的解决提供了新的思路，从而促进先进半导体器件的应用。

原文链接：

https://doi.org/10.1063/5.0252684