【项目合作】 ‌‌超宽带隙半导体材料氧化镓（Ga₂O₃）气相单晶衬底技术

        本项目聚焦超宽带隙半导体材料氧化镓（Ga₂O₃）气相单晶衬底技术，旨在突破欧美技术封锁，实现我国第四代半导体材料自主可控。氧化镓具有更宽的禁带宽度（4.9~5.2eV）、击穿场强高（8MV/cm）、Baliga优值高（3444）等特性，可用于制备功率器件、微波射频器件、声波滤波器及日盲紫外探测器等，在高压电力控制、射频通信、新能源汽车、光伏逆变器等领域具有重大应用价值，对标碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN），具备显著的成本与性能优势。

        1. 气相单晶衬底技术：采用气相法（EFG等工艺）生长高质量氧化镓衬底，解决液相法仅能制备β相、限制射频应用的问题。

        2. 关键性能指标：衬底表面粗糙度Ra<0.3nm，异质外延薄膜半峰宽低至arcsec级，技术参数接近国际领先水平（如日本NCT公司）。

        3. 知识产权：已申请专利5项，撰写核心专利4项，发表多篇学术论文，技术积累扎实。

        1. 政策环境：国家及地方高度重视，如发改委“十四五”规划将氧化镓列为战略性电子材料，北京、广东、山西等多地出台专项政策支持研发与产业化。

        2. 市场环境：

        （1）全球第三代半导体市场：2022年SiC/GaN功率半导体市场规模23.7亿美元，GaN射频市场12.4亿美元，国内市场规模141.7亿元，年增长11.7%。

        （2）替代空间：氧化镓在快充（对标GaN）、光伏逆变器（对标SiC）、新能源汽车（800V高压平台）等领域成本优势显著（如光伏逆变器成本较SiC低50%以上）。

        3. 潜在市场规模：

        （1）快充市场：全球手机/平板/笔记本年销量16.85亿台，对应快充芯片市场规模70亿元，氧化镓衬底市场容量超25亿元。

        （2）射频市场：全球手机射频前端市场规模2022年192亿美元，预计2028年达269亿美元，氧化镓可突破5G射频芯片技术壁垒。

        （3）新能源汽车：2025年全球新能源车销量预计超2100万辆，800V平台车型渗透率提升，单车载MOS芯片约50颗，市场空间巨大。