【会员新闻】镓仁牵头《氧化镓单晶位错密度测试方法》、《β相氧化镓同质外延片》团体标准草案评审会，助推第四代半导体产业化进程

        为推进氧化镓半导体材料的标准化与产业化发展，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称镓仁半导体）将作为牵头起草单位参与《氧化镓单晶位错密度测试方法》《β相氧化镓同质外延片》两项团体标准草案评审会。

        本次评审会由中国电子材料行业协会主办，中国电子材料行业协会半导体材料分会与浙江华盛模具科技有限公司联合承办，于2025年6月12-13日在衢州举行，届时将汇聚行业专家、产业链企业及科研机构代表，共同审议标准草案的技术规范与应用价值。

氧化镓：下一代半导体的“潜力之星”

        氧化镓是一种具有更高禁带宽度与击穿电场强度的超宽禁带半导体材料，其优势包括：

        1.更高的工作电压、功率：氧化镓单晶禁带宽度约为4.8eV，击穿电场强度约为8MV/cm。氧化镓击穿电场强度远大于Si(1.1eV，0.3MV/cm)、SiC(3.3eV，2.5MV/cm)、GaN(3.4eV，3.3MV/cm)等材料，制作的功率器件具有更高的工作电压、功率。

        2.更低的能量损耗：氧化镓的巴利加优值大约是SiC的10倍、GaN的4倍，使用氧化镓研制的器件将具有更小的导通电阻和更高的功率转换效率。

        3.同时满足高频率与高功率：氧化镓约翰逊优值大(2844)，较SiC和GaN更有优势，同时满足高频率与高功率的要求，在射频领域前景广阔。

        4.紫外光电性能优异：氧化镓单晶紫外截止边短(260nm)，且紫外波段的透过率受载流子浓度影响小，在制备深紫外光电器件方面优势明显。

        5.热稳定性与化学稳定性强：基于氧化镓优异的物理性质，氧化镓在制作高压功率器件、射频器件、深紫外光电器件等方面具有明显优势。

氧化镓团体标准草案评审会：推动行业规范化的关键一步

        团体标准是由行业协会、产业联盟等组织牵头制定的技术规范，旨在填补国家标准或行业标准空白，快速响应新兴领域的技术需求。草案评审会作为标准制定的核心环节，组织专家对标准内容的科学性、可操作性及产业适用性进行严格论证，确保其能为行业发展提供有效指导。

        目前，氧化镓材料的生产、检测和应用缺乏统一的规范和标准，这不仅影响了产品质量的一致性和可靠性，也制约了产业的规模化发展。镓仁半导体持续推进国内氧化镓产业的标准化发展，此前已于2025年1月牵头了氧化镓团体标准立项评审会。本次会议镓仁半导体牵头两项氧化镓相关标准的制定，将解决材料制备与检测环节的标准化缺失问题，为下游器件研发与大规模应用奠定基础。

镓仁半导体：氧化镓领域的创新引领者

        镓仁半导体成立于2022年9月，是一家专注于氧化镓等宽禁带半导体材料及设备研发、生产和销售的科技型企业。

        镓仁半导体引领行业创新，采用自主研发的铸造法单晶生长新技术，全球首发8英寸氧化镓单晶衬底，创造了从2英寸到8英寸，每年升级一个尺寸的行业纪录；开发了国内首台包含工艺包的氧化镓专用VB长晶设备，全面对外销售；联合浙江大学研究团队深耕氧化镓科研领域，在氧化镓单晶生长、检测和质量评估等方向上均取得了关键技术的突破。镓仁半导体立足于解决国家重大需求，已掌握氧化镓生长、加工、外延等全链条的核心技术，获得14项国际国内发明专利，深耕于氧化镓上游产业链的持续创新。

        公司产品包括不同尺寸、晶向和电阻率的氧化镓衬底，可定制的氧化镓籽晶等。产品主要应用于面向国家电网、新能源汽车、轨道交通、5G通信等领域的电力电子器件。经过多年的攻关，公司已掌握从设备开发、热场设计、晶体生长、晶体加工等全链条的核心技术，可提供完全具有自主知识产权的氧化镓衬底。镓仁半导体立足于解决国家重大需求，将深耕于氧化镓上游产业链的持续创新，努力为我国的电力电子等产业的发展提供产品保障。

        镓仁半导体持续推进全球范围内氧化镓产业的发展，已与德国氧化镓外延头部企业 NextGO.Epi 签署全球战略合作协议，共同推动氧化镓在新能源、电力电子等领域的应用突破，为全球半导体产业注入新动能。

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