【国际论文】下一代电子技术聚焦热管理：KAUST综述文章揭示新路径

        近期由沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）的研究团队在期刊 Advanced Physics Research 最新发表了一篇综述文章。随着新一代电子器件不断向更高功率、更高频率、更极端工作环境发展，热管理在 β-Ga₂O₃、氮化铝 AlN、金刚石超等超宽禁带（UWBG）半导体中已成为关键课题。

        本文由 Hassan Irshad Bhatti 博士与李晓航教授共同撰写，系统回顾了当前诊断与缓解自热效应的热表征技术最新进展。文章对比了如热反射成像、拉曼热谱的光学热测量方法，栅极电阻测温法、芯片内微薄膜热电偶的电学技术等在超宽禁带材料中的应用表现。

        该综述表明，随着基于 UWBG 材料的器件面临越来越严峻的热负载和瓶颈，亟需高精度、空间分辨率强的热测量技术。这一点对于确保功率电子、射频系统的可靠性至关重要，同时也为量子技术、深紫外光子学等前沿领域的未来发展提供基础支持。

        在对电子器件提出更高“紧凑、高效、耐用”要求的时代背景下，文章强调了热计量技术不再只是诊断工具，而是新一代半导体系统设计与实现的核心要素之一。

DOI：

doi.org/10.1002/apxr.202500039