【器件论文】一种高性能自供电紫外光探测器，采用螺旋形 MeOTAD/N 掺杂 Ga₂O₃ 异质结

        由浙江理工大学的研究团队在学术期刊 IEEE Sensors Journal 发布了一篇名为 A High-Performance Self-Powered Ultraviolet Photodetector With Spiro-MeOTAD/N-Doped Ga₂O₃ Heterojunction（一种高性能自供电紫外光探测器，采用螺旋形 MeOTAD/N 掺杂 Ga₂O₃ 异质结）的文章。

摘要

        氧化镓 (Ga₂O₃) 基紫外 (UV) 光电探测器因其强大的抗辐射性、微弱的背景干扰和低误报率，在军事和民用领域具有广阔的应用前景。然而，在 Ga₂O₃ 材料的生长过程中，不可避免地会产生氧空位 (Vo)，导致探测器响应速度慢并出现持久光电导 (PPC) 效应。本研究采用等离子体增强化学气相沉积方法引入氮掺杂，成功降低了 Ga₂O₃ 薄膜的 Vo 浓度并显著抑制了 PPC 效应。在此基础上，构建了一种 Spiro-MeOTAD/N 掺杂 Ga₂O₃ 异质结，其具有 II 型能带排列，可以在无需额外偏置的情况下有效分离光生载流子，从而实现自供电性能。具体来说，该器件在 0 V 下的光暗电流比 (PDCR) 为 2160，并且具有约 0.112/0.163 s 的快速响应时间。这些出色的性能表明，该异质结作为一种自供电、快速响应、高灵敏度的紫外信号探测器，具有广阔的应用前景。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/JSEN.2025.3545426