【器件论文】β-Ga₂O₃ 基器件在脉冲条件下动态击穿电压及过电压裕度的初步观测与物理机制分析

        由印度科学学院的研究团队在学术会议 2025 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)上发布了一篇名为 First Observations and Physical Insights of the Dynamic Breakdown Voltage and Overvoltage Margin Under Pulsed Conditions in β-Ga₂O₃ Based Devices（β-Ga₂O₃ 基器件在脉冲条件下动态击穿电压及过电压裕度的初步观测与物理机制分析）的文章。

摘要

        在这项研究中，首次报道了基于静电放电系统设置的，在超短（亚微秒持续时间）脉冲下，晶圆上 β-Ga₂O₃  肖特基势垒二极管 (SBD) 的瞬态击穿电压。在 10 纳秒脉冲激励下，β-Ga₂O₃  SBD 显示出 626 V 的动态击穿电压，比静态击穿电压高出 320 V。该器件可以在脉冲持续时间低于 100 ns 的情况下，承受不同次数开关循环的过电压脉冲应力。详细的实验分析揭示了陷阱态和陷阱诱导的时间和空间场演变在观察到的器件行为中的作用。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/IRPS48204.2025.10983578