【其他论文】β-Ga₂O₃₋ₓSₓ 的光学性质增强：密度泛函理论研究

        由乌兹别克斯坦国立大学的研究团队在学术期刊 Physica B: Condensed Matter 发布了一篇名为 Enhanced optical properties of β-Ga₂O_3−xS_x: A DFT study（β-Ga₂O_3−xS_x 的光学性质增强：密度泛函理论研究）的文章。

摘要

        氧化镓（Ga₂O₃）是一种具有广阔应用前景的紫外光电子材料，其优异性能包括较大的带隙、良好的载流子迁移率以及高击穿电学特性。通过降低材料的带隙，其应用范围可扩展至紫外功率应用领域之外。通过系统性的密度泛函理论计算，研究了硫掺杂对 β-Ga₂O₃ 电子和光学性质的影响。研究人员发现，随着硫含量增加（从 4.81 eV 到 1.59 eV），材料的带隙逐渐减小，同时价带偏移和导带边缘均发生对称性位移。因此，光谱中可见光和紫外光范围内的吸收强度随掺杂水平增加而提升超过一个数量级，并伴随明显的红移。本研究的预测建模可为开发 Ga₂O₃ 基光电子应用材料提供参考。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.physb.2025.417367