【衬底论文】通过 Czochralski 法生长块状氧化镓晶体时对铁掺杂的控制

        由圣光机大学的研究团队在学术期刊 Journal of Vacuum Science & Technology A 发布了一篇名为 Control of iron doping during the growth of bulk gallium oxide crystals by the Czochralski method（通过 Czochralski 法生长块状氧化镓晶体时对铁掺杂的控制）的文章。

摘要

        在本研究中，采用 Czochralski 法生长了块状 β-Ga₂O₃ 晶体，并通过不同量的掺杂剂对铁进行掺杂。研究了晶体质量与铁含量之间的依赖关系。通过测量比电阻和光学透射光谱，证实了施主离子的补偿作用、导电电子的结合以及比电阻随晶体中铁含量增加而增长的现象，直至达到 1.6 × 10¹¹ Ω·cm。所得的铁深能级激活能值为E_A＝0.66 eV。

原文链接：

https://doi.org/10.1116/6.0004535