【外延论文】γ-Ga₂O₃ 薄膜热导率的尺寸效应和温度依赖性

        由美国卡内基梅隆大学的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为 Size effects and temperature dependence in the thermal conductivity of γ-Ga₂O₃ films（γ-Ga₂O₃ 薄膜热导率的尺寸效应和温度依赖性）的文章。

摘要

        使用频域热反射技术测量了在 (100) MgAl₂O₄ 衬底上沉积的、不同厚度的 (100) γ-Ga₂O₃ 薄膜的热导率。测得的 γ-Ga₂O₃ 薄膜的热导率低于同等厚度的 (-201) β-Ga₂O₃ 薄膜的热导率，这表明掺杂或合金化 β-Ga₂O₃ 中的 γ 相夹杂物可能会影响其热导率。γ-Ga₂O₃ 的热导率随膜厚从 75 nm 增加到 404 nm 时，从 2.3(+0.9/−0.5) W/m·K 提高至 3.5±0.7 W/m·K，这表明尺寸效应对热导率有显著影响。γ-Ga₂O₃ 的热导率在温度从 293 K 升高到 400 K 时也略有增加。这种热导率的增加发生在缺陷和边界散射抑制温度依赖性 Umklapp 散射特征时。γ-Ga₂O₃ 具有阳离子缺陷尖晶石结构，每个晶胞中至少有两个镓空位，这些空位很可能是缺陷散射的来源。

原文链接：

https://doi.org/10.1063/5.0270256