【器件论文】E-Mode 垂直 β-Ga₂O₃ (010) U-槽 MOSFET 器件，配备原位镁掺杂电流阻断层

        由美国纽约州立大学布法罗分校的研究团队在学术期刊 IEEE Electron Device Letters  发布了一篇名为 E-Mode Vertical β-Ga₂O₃ (010) U-Trench MOSFETs With In-Situ Mg-Doped Current Blocking Layers（E-Mode 垂直 β-Ga₂O₃ (010) U-槽 MOSFET 器件，配备原位镁掺杂电流阻断层）的文章。

摘要

        本文介绍了新型增强型（E 模式）垂直 β-Ga₂O₃（010）U 型槽 MOSFET 的制造工艺及性能分析，该器件具有原位掺 Mg 电流阻挡层（CBL），适用于高功率应用。通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，在 CBL 中实现了 1.3×10¹⁹ cm^-3 的精确 Mg 掺杂，从而增强了电流阻挡能力，同时保持了 5 V 的稳健阈值电压和 5 mΩ·cm² 的低导通电阻。在 V_GS=20 V 和 V_DS=40 V 时，该器件的导通电流达到 1.56 kA/cm²。所制备的器件展示了 101 V 的峰值击穿电压，平均击穿场强高达 1.68 MV/cm。计算得出的功率器件品质因数为 2 MW/cm²。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/LED.2025.3554401