【专家风采】于洪宇——技术专家委员会委员

个人简介

于洪宇

      目前担任深港微电子学院院长、教授，主要研究工作集中在集成电路工艺与器件方面，包括CMOS、新型超高密度存储器、宽禁带半导体器件与系统集成、及电子陶瓷方面，发表学术论文近440篇，其中近200余篇被SCI收录，总他引次数近5700次，H影响因子为45，编辑2本书籍并撰写了4本专业书籍的章节，并发表/被授予近21项美国/欧洲专利以及80项以上国内专利。成功筹建南科大深港微电子学院（被教育部批准为国家示范性微电子学院）、未来通信集成电路教育部工程研究中心、广东省GaN器件工程技术中心、广东省三维集成工程研究中心和深圳市第三代半导体重点实验室。

成果展示：

      于洪宇教授从事微电子器件领域研究工作二十余年，学术专长主要包括微电子关键核心材料、工艺技术和先进器件等相关的应用基础性研究。在宽禁带半导体功率、射频和传感器件等方向开展了特色基础和应用基础研究工作，其中包括超低欧姆工艺技术、p-GaN栅极增强技术、应力工程技术、原位钝化技术等。此外，在氧化镓材料和器件的方向，团队实现了氧化镓常关MOSFET器件、高耐压垂直SBD等，建立了氧化镓器件仿真模型和数据库 [IEEE EDTM, 6-21 April 2020]，对氧化镓界面的改善开展了一系列研究，其中，通过在Ga₂O₃二极管的肖特基界面插入一层铝反应层，取得了稳定的超低亚阈值摆幅，降低了漏电，改善了器件的均一性和良率，并建立高斯模型对界面结果进行了分析 [IEEE TED, 68, 7, 2021]。

专家寄语：

      氧化镓（β-Ga₂O₃）是超宽禁带半导体的典型代表，是研制高耐压、大功率和高效节能半导体器件的理想半导体材料之一，在电力传输转换、电动汽车、高铁等领域具有重大应用前景。近年来，氧化镓半导体已成为半导体国际研究热点和大国技术竞争制高点。团队未来发展将致力于提升器件耐压性能、降低导通电阻、实现常关器件等限制氧化镓器件性能的关键问题。