【器件论文】单片集成、可重构的氧化镓 NAND/NOR 门，采用铁电 AlScN 栅极堆栈

        由韩国崇实大学的研究团队在学术期刊 IEEE Electron Device Letters 发布了一篇名为 Monolithic Integrated, Reconfigurable Gallium Oxide NAND/NOR Gates with Ferroelectric AlScN Gate Stack（单片集成、可重构的氧化镓 NAND/NOR 门，采用铁电 AlScN 栅极堆栈）的文章。

摘要

        本文展示了一种单片集成的 α-Ga₂O₃ 可重构 NAND 与 NOR 逻辑门电路。所制备的 α-Ga₂O₃ 场效应晶体管（FET）采用铁电 AlScN 栅介结构（FeFET），在 V_DS = 1 V 条件下实现了高达 5.5 V 的存储窗口。通过施加编程脉冲（10 V，1 s）和擦除脉冲（-20 V，1 s），器件实现了约 3.8 V 的阈值电压调控。此外，逻辑电路作为反相器的电压传输特性曲线（VTC）表现出明显的滞后行为，且在反向扫描过程中展现出更高的增益。通过向驱动端 FeFET 施加两组不同输入脉冲和源极偏压，成功实现了可重构逻辑功能的演示。研究结果验证了单片集成、紧凑型 Ga₂O₃ 逻辑电路的可行性。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/LED.2025.3584764