【外延论文】镓助熔剂诱导的 β-Ga₂O₃ 在 LPCVD 系统中的蚀刻

        由印度坎普尔理工学院的研究团队在学术期刊 Journal of Vacuum Science & Technology A 发布了一篇名为 Gallium flux induced etching of β-Ga₂O₃ in an LPCVD system（镓助熔剂诱导的 β-Ga₂O₃ 在 LPCVD 系统中的蚀刻）的文章。

摘要

        镓助熔剂诱导蚀刻，一种用于蚀刻 β-Ga₂O₃ 的新型技术，在低压化学气相沉积（LPCVD）装置中得到了详细的演示和研究。进入的镓蒸气通量和 β-Ga₂O₃ 表面亚氧化物反应速率是影响 β-Ga₂O₃ 蚀刻动力学的关键参数。对其对蚀刻速率的影响进行了系统研究，实现了可控的蚀刻速率，最高可达约 0.7 μm/h。为解释观察到的蚀刻速率行为，基于粒子守恒的分析模型被适应并修改以适应 LPCVD 配置。蚀刻后表面形态表征显示，采用 SiO₂ 掩模蚀刻的样品具有垂直侧壁，而当在较高温度下进行蚀刻时，蚀刻表面的粗糙度得到改善。在 LPCVD 中进行原位蚀刻的灵活性，作为一种低成本的 β-Ga₂O₃ 外延生长技术，有望为例如台面隔离、栅极凹槽和接触再生长等的经济且改进的器件制造工艺铺平道路。

原文链接：

https://doi.org/10.1116/6.0004596