【衬底论文】激光辅助抛光 β-Ga₂O₃ 中的材料去除与损伤机制：原子尺度洞察

        由合肥工业大学的研究团队在学术期刊 Tribology International 发布了一篇名为Material Removal and Damage Mechanisms in Laser-assisted Polishing of β-Ga₂O₃: Atomic-scale Insights（激光辅助抛光 β-Ga₂O₃ 中的材料去除与损伤机制：原子尺度洞察）的文章。

摘要

        超宽带隙半导体材料 β-Ga₂O₃ 在实现高效超精密加工而不造成损伤方面面临重大挑战。本文采用机器学习分子动力学（MLMD）模拟和实验验证方法，研究了 β-Ga₂O₃ 在原子级激光辅助抛光过程中的材料去除和损伤机制。研究结果表明，随着激光功率的增加，抛光力和摩擦系数显著降低。适当的激光功率能有效抑制剪切应变和位错密度，但过高的激光功率会使亚表面损伤加剧。随着激光功率的增加和抛光速度的降低，表面粗糙度的均方根值减小。通过高温纳米压痕测试，证实 β-Ga₂O₃ 的机械性能在很大程度上依赖于热效应。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.triboint.2025.111090